• GD NOR/NAND FLASH
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GD NOR/NAND FLASH

所属分类: MCU/FLASH | 发布日期:2021-01-22 10:01:29

NOR Flash或NAND Flash作为关键的非易失性存储器,主要用于存储设备的配置程序。兆易创新拥有广泛的闪存产品组合,且均经过专门设计,以满足各种电子应用对于容量、性能、可靠性和安全性等方面的不同需求,同时提供超小型封装和低功耗。

产品详情

NOR Flash或NAND Flash作为关键的非易失性存储器,主要用于存储设备的配置程序。兆易创新拥有广泛的闪存产品组合,且均经过专门设计,以满足各种电子应用对于容量、性能、可靠性和安全性等方面的不同需求,同时提供超小型封装和低功耗。

SPI NOR Flash

兆易创新SPI NOR Flash提供高性能和安全特性,可满足当今应用多样化设计需求。

SPI NOR Flash - 主要特性

  • 支持1.8V、2.5V、3.0V和宽压电源供电
  • 提供单通道、双通道、四通道SPI工作模式
  • 四通道SPI数据吞吐量高达532Mb/s,优于许多异步并行闪存
  • 内存架构灵活自如(扇区大小:4K bytes,块大小:32/64K bytes)
  • 高可靠性,数据保留时间20年,编程/擦除周期达100000次
  • 工作温度范围:-40℃~85℃
  • 提升的代码执行速度、简化的接口和较少的引脚等

SPI NAND FLASH

兆易创新SPI NAND Flash为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等应用的多媒体数据存储提供所需的大容量存储和性能。

主要特性

  • 采用1.8V和3.0V电源供电
  • 封装:WSON8 (6mm x 8mm)​
  • 高速时钟频率(30pF载荷时的快速读取为120MHz)
  • 四通道数据吞吐量高达480Mbit/s​
  • 高可靠性,数据保留时间10年,编程/擦除周期达100000次
  • 工作温度范围:-40℃~85℃
  • 增强的访问性能,快速随机读取的缓存为2K或4K bytes
  • 高级NAND功能,包括内部ECC

Parallel NAND Flash

兆易创新GD9F Parallel NAND Flash为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等设备的多媒体数据存储应用提供所必需的大容量存储和性能。

主要特性

  • 电源:1.8V (1.7V ~ 1.95V)或3.0V (2.7V ~ 3.6V)
  • 分页大小:2048 + 128 Byte或2048 + 64 Byte
  • 兼容ONFi
  • 封装类型:TSOP-48、FBGA-63、FBGA-48
  • 容量:1Gb至8Gb
  • 高可靠性:数据保留时间10年,且编程/擦除周期高达100000次
  • 温度范围:-40℃~85℃/-40℃~105℃
  • 高性能特性:缓存读取/编程操作
  • 安全特性:OTP、UID与阵列保护